MOSFET Infineon IPT65R125CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 23 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-912
Nº ref. fabric.:
IPT65R125CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo de Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de vanguardia diseñado para elevar la eficiencia energética en aplicaciones exigentes. Este dispositivo presenta un rendimiento de conmutación líder en la industria, encapsulado en el encapsulado PG HSOF 8, optimizando la gestión térmica y maximizando la fiabilidad operativa. Con una notable tensión de ruptura de 650 V, está diseñado para manejar una alta densidad de potencia y es un componente esencial para las topologías de conmutación resonante, como los convertidores LLC y de puente completo con desplazamiento de fase. No sólo cumple las rigurosas normas de eficiencia y fiabilidad, sino que también admite diseños que requieren mayores márgenes de potencia y un rendimiento mejorado en toda una gama de temperaturas de funcionamiento.

El diodo de cuerpo ultrarrápido mejora el rendimiento
Reduce las pérdidas de conmutación para una mayor eficiencia energética
Excelente robustez para aplicaciones exigentes
Admite una mayor tensión de bus para mayor seguridad
Excelente eficiencia con cargas ligeras para uso industrial

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