MOSFET Infineon IPT65R060CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 43 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-901
Nº ref. fabric.:
IPT65R060CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

43 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia de alta eficiencia con tecnología de vanguardia diseñado para aplicaciones exigentes. La última iteración del CoolMOS CFD7 de 650 V presenta un rendimiento de conmutación excepcional junto con un comportamiento térmico sobresaliente, lo que lo convierte en la opción ideal para topologías de conmutación resonante como LLC y puente completo con desplazamiento de fase. Como sucesor del CoolMOS CFD2, promete una eficiencia y fiabilidad superiores en aplicaciones industriales que van desde servidores a soluciones de carga de vehículos eléctricos. Este dispositivo permite a los ingenieros superar los límites de la densidad de potencia y la gestión térmica en sus diseños, garantizando un rendimiento robusto incluso en condiciones de alta temperatura.

El diodo de cuerpo ultrarrápido mejora la eficiencia
Optimizado para una alta densidad de potencia
El mejor RDS(on) de su clase minimiza las pérdidas
Rendimiento constante a distintas temperaturas
Excepcional eficiencia con cargas ligeras
Mayores márgenes de seguridad para alta tensión
Totalmente cualificado por JEDEC

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