MOSFET Infineon IPT65R155CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 19 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-913
Nº ref. fabric.:
IPT65R155CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia que redefine la eficiencia y el rendimiento en aplicaciones de alta tensión con su avanzada tecnología coolMOS. Diseñado específicamente para topologías de conmutación resonante, cuenta con una notable capacidad de conmutación, lo que garantiza un importante ahorro de energía y una mejor gestión térmica. La última oferta amplía las opciones de la clase de voltaje, actuando como digno sucesor de los modelos anteriores. Su diodo de cuerpo ultrarrápido combinado con una robustez de conmutación dura superior posiciona a este dispositivo como la elección óptima para los estrictos requisitos industriales, especialmente en sectores como las telecomunicaciones y la carga de vehículos eléctricos.

El diodo de cuerpo ultrarrápido aumenta la eficacia operativa
La alta tensión de ruptura garantiza una mayor seguridad
El mejor RDS(on) de su clase reduce las pérdidas por conducción
El excelente rendimiento con cargas ligeras aumenta la eficiencia
Optimizado para servidores y aplicaciones solares

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