MOSFET Infineon IPT65R099CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

El MOSFET de Infineon cuenta con un avanzado dispositivo de potencia CoolMOS CFD7 de 650 V está diseñado para un rendimiento excepcional en topologías de conmutación resonante, incluidas las aplicaciones LLC y de puente completo con cambio de fase. Centrado en la mejora de la eficiencia y el comportamiento térmico, este producto es una solución ideal para aplicaciones exigentes como servidores, sistemas de telecomunicaciones y carga de vehículos eléctricos. La inclusión de un diodo de cuerpo rápido mejora la fiabilidad, especialmente en escenarios de conmutación rápida. Como evolución de la consolidada serie CFD2, este innovador MOSFET aprovecha unas características de conmutación superiores y ofrece una mayor robustez frente a eventos de conmutación dura. Su diseño no sólo cumple sino que supera las normas del sector en cuanto a eficiencia y rendimiento térmico, lo que lo convierte en un componente inestimable para soluciones de alta densidad de potencia.

Diodo de cuerpo ultrarrápido para un rendimiento de alta velocidad
Minimiza las pérdidas de conmutación para un uso óptimo de la energía
Robustez excepcional para mayor seguridad
Optimizado para aplicaciones SMPS industriales
Totalmente cualificado por JEDEC para entornos industriales
Admite alta densidad de potencia para diseños compactos
Diseñado para la integración de puente completo con desplazamiento de fase