MOSFET Infineon IPT65R080CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 34 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-906
Nº ref. fabric.:
IPT65R080CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia avanzado que representa una innovación significativa en la gestión de potencia, mostrando una eficiencia y fiabilidad excepcionales en un tamaño compacto. Diseñado con la vanguardista tecnología CoolMOS CFD7, gestiona con eficacia tensiones de hasta 650 V, lo que lo hace ideal para aplicaciones exigentes como fuentes de alimentación de servidores, infraestructuras de telecomunicaciones y sistemas de carga de vehículos eléctricos. Su exclusivo diodo de cuerpo ultrarrápido garantiza un rendimiento de conmutación superior, permitiendo una alta eficiencia en topologías de conmutación resonante. Al combinar un comportamiento térmico avanzado con unas pérdidas de conmutación mínimas, este producto está diseñado para satisfacer las estrictas exigencias de las aplicaciones de potencia modernas, impulsando el rendimiento del sistema al tiempo que se optimiza el espacio.

El diodo de cuerpo ultrarrápido potencia la conmutación
Las pérdidas mínimas mejoran la eficiencia del sistema
Alta tensión de ruptura para tareas exigentes
Optimizado para una alta densidad de potencia compacta
Excelente rendimiento térmico con cargas pesadas
Diseño robusto que ofrece un margen de seguridad
Ideal para aplicaciones de desplazamiento de fase y LLC
Totalmente cualificado por JEDEC para uso industrial

Enlaces relacionados