MOSFET, N-Canal Infineon IGT65R025D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-969
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-969
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IGT65 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 70 A - IGT65R025D2ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para entornos industriales exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de montaje en superficie adecuado para placas compactas. El dispositivo está diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en las que se requiere una alta tolerancia de tensión y un manejo de corriente continua robusto.
Características y ventajas:
• Resistencia al drenaje de 650 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Capacidad de drenaje continuo de 70 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.03 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 236 W para capacidad térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Valor nominal de puerta de 10 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta estándar
• Capacidad de drenaje continuo de 70 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.03 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia máxima de 236 W para capacidad térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Valor nominal de puerta de 10 V compatible con tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores industriales
• Apto para etapas de control de motores en sistemas de alta tensión
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión para la conversión de energía
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
• Adecuado para distribución de energía de telecomunicaciones y fuentes auxiliares
• Apto para etapas de control de motores en sistemas de alta tensión
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión para la conversión de energía
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
• Adecuado para distribución de energía de telecomunicaciones y fuentes auxiliares
¿Qué tipo de encapsulado se utiliza y cómo afecta al montaje de la placa?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PG-HSOF-8 que facilita la soldadura por reflujo automatizada y diseños de PCB compactos al tiempo que proporciona varios cables térmicos y eléctricos.
¿Qué consideraciones deben tenerse sobre el accionamiento de puerta para un funcionamiento fiable?
Mantenga el accionamiento de la puerta dentro de ±10 V y proporcione una ruta de retorno de baja impedancia para minimizar transitorios de conmutación y garantizar una temporización de encendido y apagado predecible.
¿Cómo influye el rango de temperatura en las ubicaciones de despliegue?
El rango de funcionamiento nominal de -55 °C a 150 °C permite la colocación en carcasas industriales de arranque en frío y altas temperaturas sin reducir la capacidad de conmutación básica.
¿Qué estrategias de gestión térmica se recomiendan para un funcionamiento continuo?
Utilice una zona de cobre adecuada o un disipador térmico dedicado debajo del encapsulado, asegúrese de una buena conducción térmica de la placa de circuito impreso y considere el flujo de aire para mantener las temperaturas de unión dentro de límites seguros.
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