MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R025D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-969
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
16,30 €
(exc. IVA)
19,72 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1995 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,30 € |
| 10 - 99 | 14,67 € |
| 100 + | 13,53 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-969
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R025D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IGT65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 236W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IGT65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 236W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolGaN de Infineon es un transistor de nitruro de galio (GaN) altamente eficiente diseñado para la conversión de potencia. Permite una mayor densidad de potencia, reduce el coste de la lista de materiales del sistema (BOM) y facilita los factores de forma miniaturizados. Fabricado con tecnología de obleas y líneas de producción totalmente automatizadas, presenta estrechas tolerancias de producción y la máxima calidad de producto. Esto lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones industriales.
Transistor de modo de mejora
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta y de salida
Mayor robustez de conmutación
Enlaces relacionados
- Transistor MOSFET Infineon IGT65R055D2ATMA1 ID 31 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor MOSFET Infineon IGT65R140D2ATMA1 ID 13 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor MOSFET Infineon IGT65R045D2ATMA1 ID 38 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor MOSFET Infineon IPT059N15N3ATMA1 PG-HSOF-8
- MOSFET Infineon IMT65R039M1HXUMA1 ID 61 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IMT65R030M1HXUMA1 ID 71 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R080CFD7XTMA1 ID 34 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R099CFD7XTMA1 ID 28 A, PG-HSOF-8 de 8 pines