MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R107M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-054
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-054
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R107M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 141mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 138W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 141mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 138W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET CoolSiC 650 V G1 de Infineon está basada en más de 20 años de tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada por Infineon. Al aprovechar las características únicas de los materiales de SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación excepcional de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Está diseñado para altas temperaturas y duras condiciones de funcionamiento, por lo que es ideal para aplicaciones exigentes. Este MOSFET permite la implantación simplificada y rentable de sistemas con la máxima eficiencia, lo que satisface las crecientes necesidades de la electrónica de energía moderna.
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes más altas
Diodo de cuerpo rápido y resistente a la conmutación con Qfr bajo
Mayor capacidad ante avalanchas
Compatible con controladores estándar
La fuente Kelvin proporciona pérdidas de conmutación hasta 4 veces menores
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