MOSFET Infineon IPT65R190CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-917
Nº ref. fabric.:
IPT65R190CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon cuenta con un avanzado dispositivo de potencia CoolMOS CFD7 de 650 V que aporta una eficiencia y un rendimiento térmico sin precedentes para aplicaciones en topologías de conmutación resonante. Diseñado como buque insignia dentro de la serie CFD7, promete características de conmutación mejoradas, lo que lo convierte en la solución ideal para entornos exigentes como servidores, telecomunicaciones y aplicaciones de carga de vehículos eléctricos. Con su innovador diodo de cuerpo ultrarrápido y su superior robustez de conmutación dura, este dispositivo trasciende la funcionalidad tradicional de los MOSFET, permitiendo un aumento significativo de la densidad de potencia y la fiabilidad. Su avanzado diseño acentúa las capacidades de gestión térmica necesarias para los sistemas de alto rendimiento.

El diodo de cuerpo ultrarrápido mejora el rendimiento crítico
La mejor resistencia de su clase reduce la pérdida de energía
Adaptado para una alta densidad de potencia que aumenta la eficiencia
Optimizado para diseños de puente completo con desplazamiento de fase
Cumple las normas de seguridad para un funcionamiento fiable
Totalmente cualificado según las normas de calidad JEDEC

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