MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R083M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-732
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 284-732
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 111mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 158W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 111mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 158W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC de 650 V de Infineon está diseñado con tecnología de carburo de silicio de vanguardia, que ofrece una eficiencia y fiabilidad inigualables para aplicaciones exigentes. Este componente de próxima generación está diseñado para optimizar el rendimiento en diversos entornos de funcionamiento de alta temperatura y exigentes. Su diseño innovador, refinado durante más de 20 años, combina sin esfuerzo una alta fiabilidad operativa con una integración fácil de usar. El aumento de la densidad de potencia y la reducción del tamaño del sistema lo convierten en una elección ideal para aplicaciones como inversores solares, infraestructura de carga de vehículos eléctricos y soluciones de almacenamiento de energía, lo que permite una implementación perfecta en sistemas de alimentación.
El comportamiento de conmutación optimizado mejora la eficiencia
El diodo de cuerpo robusto garantiza una conmutación fiable
Diseñado para operaciones de alta temperatura
Integración simplificada en circuitos existentes
Rendimiento térmico excepcional para entornos exigentes
Capacidad de avalancha superior para la seguridad del sistema
Reducción significativa de las pérdidas de conmutación
Ideal para aplicaciones de alta densidad de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines