MOSFET, N-Canal Infineon IGT65R055D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-966
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R055D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-966
- Nº ref. fabric.:
- IGT65R055D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IGT65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.066Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 106W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IGT65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.066Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 106W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolGaN de Infineon es un transistor de nitruro de galio (GaN) altamente eficiente diseñado para la conversión de potencia. Permite una mayor densidad de potencia, reduce el coste de la lista de materiales del sistema (BOM) y facilita los factores de forma miniaturizados. Fabricado con tecnología de obleas y líneas de producción totalmente automatizadas, presenta estrechas tolerancias de producción y la máxima calidad de producto. Esto lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones industriales.
Transistor de modo de mejora
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta y de salida
Mayor robustez de conmutación
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