MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-724
Nº ref. fabric.:
IMT65R057M1HXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

203W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon presenta tecnología avanzada de carburo de silicio, meticulosamente diseñada para un alto rendimiento y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Aprovechando más de dos décadas de optimización, este MOSFET proporciona una eficiencia y facilidad de uso excepcionales, lo que lo convierte en una elección ideal para diversas implementaciones, incluidos inversores solares y sistemas de carga de vehículos eléctricos. Sus características robustas garantizan un funcionamiento fiable en entornos de alta temperatura, allanando el camino para diseños de alimentación más compactos y eficientes. Mejorado con un diodo de cuerpo rápido y una fiabilidad superior de óxido de puerta, este producto destaca en su categoría, ofreciendo un equilibrio único de rendimiento y facilidad de uso. Perfecto para los ingenieros que buscan la excelencia en los circuitos de alimentación, este MOSFET encarna la innovación y la fiabilidad, estableciendo un nuevo punto de referencia en el sector.

Optimizado para conmutación de alta corriente

Capacidad de avalancha mejorada para mayor robustez

Compatible con controladores estándar para mayor flexibilidad

La configuración de fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación

Alto rendimiento y fiabilidad combinados

Ideal para conmutación dura continua

El diseño compacto mejora la densidad de potencia

Calificación para aplicaciones industriales conforme a los estándares JEDEC

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