MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

Código RS:: 284-726
Nº ref. fabric.:: IMT65R057M1HXUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:: 284-726
Nº ref. fabric.:: IMT65R057M1HXUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	PG-HSOF-8
	Serie	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	23 V
	Disipación de potencia máxima Pd	203W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	28nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 44A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado PG-HSOF-8
	Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V
	Disipación de potencia máxima Pd 203W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IMT65R057M1HXUMA1

El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon presenta tecnología avanzada de carburo de silicio, meticulosamente diseñada para un alto rendimiento y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Aprovechando más de dos décadas de optimización, este MOSFET proporciona una eficiencia y facilidad de uso excepcionales, lo que lo convierte en una elección ideal para diversas implementaciones, incluidos inversores solares y sistemas de carga de vehículos eléctricos. Sus características robustas garantizan un funcionamiento fiable en entornos de alta temperatura, allanando el camino para diseños de alimentación más compactos y eficientes. Mejorado con un diodo de cuerpo rápido y una fiabilidad superior de óxido de puerta, este producto destaca en su categoría, ofreciendo un equilibrio único de rendimiento y facilidad de uso. Perfecto para los ingenieros que buscan la excelencia en los circuitos de alimentación, este MOSFET encarna la innovación y la fiabilidad, estableciendo un nuevo punto de referencia en el sector.

Optimizado para conmutación de alta corriente

Capacidad de avalancha mejorada para mayor robustez

Compatible con controladores estándar para mayor flexibilidad

La configuración de fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación

Alto rendimiento y fiabilidad combinados

Ideal para conmutación dura continua

El diseño compacto mejora la densidad de potencia

Calificación para aplicaciones industriales conforme a los estándares JEDEC

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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