MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT65R040CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 63 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-900
- Nº ref. fabric.:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 284-900
- Nº ref. fabric.:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 97nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 347W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 97nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 347W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de vanguardia diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Este producto ejemplifica un rendimiento térmico superior, lo que lo convierte en ideal para usar en entornos exigentes como los sectores de servidores y telecomunicaciones. Con su innovadora tecnología CoolMOS CFD7, promete una fiabilidad y eficiencia excepcionales, especialmente en topologías de conmutación de resonancia, incluidas aplicaciones de puente completo de desplazamiento de fase y LLC. Este MOSFET avanza sobre su predecesor con capacidades de conmutación mejoradas y una baja resistencia de estado encendido, optimizando la densidad de potencia y mejorando la eficacia general de sus diseños. Construido para cumplir con los rigurosos estándares de las aplicaciones industriales, el dispositivo proporciona una excelente robustez de conmutación dura al tiempo que mantiene un rendimiento excepcional en un amplio rango de temperaturas.
El diodo de cuerpo ultrarrápido minimiza las pérdidas de conmutación
Mejor RDS(on) de su clase para mejorar la eficiencia
Robusto contra conmutación dura para mayor fiabilidad
Controla el aumento de la tensión del bus para mayor seguridad
Optimizado para alta densidad de potencia en diseños compactos
Excelente en condiciones de carga ligera para aplicaciones SMPS industriales
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