MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R030M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-715
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R030M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-715
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R030M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 142A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 142A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon se ha diseñado para las demandas modernas de aplicaciones de alto rendimiento, ofreciendo una solución robusta en un encapsulado compacto. Diseñado con tecnología de carburo de silicio sólido de vanguardia, este dispositivo semiconductor combina una fiabilidad y eficiencia excepcionales, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones como inversores solares, infraestructura de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación ininterrumpidas. Con un enfoque en la simplicidad y la rentabilidad, mejora el rendimiento del sistema al tiempo que garantiza una estabilidad térmica superior para entornos exigentes. Este dispositivo garantiza no solo un rendimiento, sino también una integración perfecta en varios diseños, redefiniendo lo que es posible en la gestión de potencia.
La conmutación optimizada mejora la eficiencia operativa
El diodo de cuerpo robusto admite aplicaciones avanzadas
Rendimiento térmico excepcional en condiciones extremas
La fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación
Alta capacidad de avalancha para mayor durabilidad del sistema
Compatible con controladores estándar para facilitar la integración
El diseño compacto aumenta la densidad de potencia
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