MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IPT60R016CM8XTMA1, VDSS 600 V, ID 142 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-256
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
16,94 €
(exc. IVA)
20,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1828 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,94 € |
| 10 - 99 | 15,26 € |
| 100 + | 14,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-256
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 142A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 171nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 142A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 171nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de potencia de la serie IPT de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 142 A - IPT60R016CM8XTMA1
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y se suministra en un encapsulado compacto de montaje en superficie para su integración en placas pobladas donde se requiere un manejo térmico y de corriente robusto.
Características y ventajas:
• La clasificación de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 16 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante cargas pesadas
• La corriente continua 142 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La carga de puerta típica de 171 nC permite transiciones de accionamiento de puerta más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 694 W ayuda a la planificación del margen térmico
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta flexibles
• La Rds(on) de 16 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante cargas pesadas
• La corriente continua 142 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La carga de puerta típica de 171 nC permite transiciones de accionamiento de puerta más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 694 W ayuda a la planificación del margen térmico
• La tolerancia de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de motor industrial
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza con topologías SMPS resonantes y de conmutación dura
• Se puede utilizar para sistemas de tracción y de altas prestaciones dc-dc
• Adecuado para distribución de potencia y conmutación a nivel de placa
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza con topologías SMPS resonantes y de conmutación dura
• Se puede utilizar para sistemas de tracción y de altas prestaciones dc-dc
• Adecuado para distribución de potencia y conmutación a nivel de placa
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para el montaje de PCB?
Se suministra en un encapsulado PG-HSOF-8 diseñado para colocación de montaje en superficie para facilitar el montaje automatizado y la conducción térmica a la placa.
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
El dispositivo está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite aplicaciones expuestas a amplias variaciones de temperatura.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
Las tensiones de fuente de puerta no deben superar 30 V para evitar la tensión dieléctrica de puerta.
¿Cumple con los estándares de prueba del sector?
Cumple los estándares JEDEC de certificación y manipulación de semiconductores.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 0.82 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 0.82 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 200 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 600 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines