Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPT067N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 137 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-130
- Nº ref. fabric.:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,97 € |
| 10 - 99 | 8,08 € |
| 100 - 499 | 7,46 € |
| 500 - 999 | 6,91 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 349-130
- Nº ref. fabric.:
- IPT067N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, IEC61249-2-21, 100% Avalanche Tested, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas por conducción. El excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) garantiza un rendimiento de conmutación superior, mientras que la bajísima carga de recuperación inversa (Qrr) contribuye a un funcionamiento eficiente. Con un alto índice de energía de avalancha, ofrece mayor robustez y es capaz de funcionar a 175 °C, lo que lo hace fiable incluso en entornos exigentes.
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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