MOSFET, N-Canal Infineon IMT65R083M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-730
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-730
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R083M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 59 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 111 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 158 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 59 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 111 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 158 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.
Optimised switching behaviour enhances efficiency
Robust body diode ensures reliable commutation
Designed for high temperature operations
Simplified integration into existing circuits
Exceptional thermal performance for demanding environments
Superior avalanche capability for system safety
Significant reduction in switching losses
Ideal for high power density applications
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