MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R048M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

Código RS:: 284-723
Nº ref. fabric.:: IMT65R048M1HXUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R048M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

12,48 €

(exc. IVA)

15,10 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad
1 - 9	12,48 €
10 - 99	11,24 €
100 +	10,36 €

*precio indicativo

Código RS:: 284-723
Nº ref. fabric.:: IMT65R048M1HXUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Encapsulado	PG-HSOF-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	64mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	33nC
	Disipación de potencia máxima Pd	227W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	23 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1
	Encapsulado PG-HSOF-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 64mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC
	Disipación de potencia máxima Pd 227W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IMT65R048M1HXUMA1

El MOSFET CoolSiC Infineon 650V G1 epitomiza la innovación en tecnología de semiconductores. Este dispositivo de alto rendimiento aprovecha la robusta tecnología de carburo de silicio, optimizando la eficiencia y la fiabilidad para aplicaciones que requieren un rendimiento térmico y estabilidad superiores. Diseñado específicamente para entornos exigentes, sobresale en operaciones de alta temperatura al tiempo que simplifica los diseños del sistema. Con sus características avanzadas, el MOSFET garantiza que los usuarios puedan lograr una excelente densidad de potencia y ahorrar espacio, lo que lo convierte en una elección ideal para una gama de aplicaciones que incluyen infraestructura de carga de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación eficientes. El MOSFET CoolSiC 650V G1 es más que un componente; encarna un compromiso con el rendimiento y la fiabilidad, perfecto para soluciones electrónicas modernas.

Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia

Rendimiento térmico robusto para entornos hostiles

Fiabilidad mejorada para una vida útil prolongada

Las bajas pérdidas de conmutación mejoran la eficiencia

El diseño compacto reduce la huella del sistema

Capacidad de avalancha líder del sector para tolerancia a fallos

Integración fácil de usar con controladores estándar

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R048M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados