MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R048M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-723
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R048M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 284-723
- Nº ref. fabric.:
- IMT65R048M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 64mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 64mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC Infineon 650V G1 epitomiza la innovación en tecnología de semiconductores. Este dispositivo de alto rendimiento aprovecha la robusta tecnología de carburo de silicio, optimizando la eficiencia y la fiabilidad para aplicaciones que requieren un rendimiento térmico y estabilidad superiores. Diseñado específicamente para entornos exigentes, sobresale en operaciones de alta temperatura al tiempo que simplifica los diseños del sistema. Con sus características avanzadas, el MOSFET garantiza que los usuarios puedan lograr una excelente densidad de potencia y ahorrar espacio, lo que lo convierte en una elección ideal para una gama de aplicaciones que incluyen infraestructura de carga de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación eficientes. El MOSFET CoolSiC 650V G1 es más que un componente; encarna un compromiso con el rendimiento y la fiabilidad, perfecto para soluciones electrónicas modernas.
Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia
Rendimiento térmico robusto para entornos hostiles
Fiabilidad mejorada para una vida útil prolongada
Las bajas pérdidas de conmutación mejoran la eficiencia
El diseño compacto reduce la huella del sistema
Capacidad de avalancha líder del sector para tolerancia a fallos
Integración fácil de usar con controladores estándar
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