MOSFET Infineon IPT65R155CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 19 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-915
- Nº ref. fabric.:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 284-915
- Nº ref. fabric.:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 19 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Tipo de Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Material del transistor | SiC | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 19 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Tipo de Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Material del transistor SiC | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de potencia que redefine la eficiencia y el rendimiento en aplicaciones de alta tensión con su avanzada tecnología coolMOS. Diseñado específicamente para topologías de conmutación resonante, cuenta con una notable capacidad de conmutación, lo que garantiza un importante ahorro de energía y una mejor gestión térmica. La última oferta amplía las opciones de la clase de voltaje, actuando como digno sucesor de los modelos anteriores. Su diodo de cuerpo ultrarrápido combinado con una robustez de conmutación dura superior posiciona a este dispositivo como la elección óptima para los estrictos requisitos industriales, especialmente en sectores como las telecomunicaciones y la carga de vehículos eléctricos.
El diodo de cuerpo ultrarrápido aumenta la eficacia operativa
La alta tensión de ruptura garantiza una mayor seguridad
El mejor RDS(on) de su clase reduce las pérdidas por conducción
El excelente rendimiento con cargas ligeras aumenta la eficiencia
Optimizado para servidores y aplicaciones solares
La alta tensión de ruptura garantiza una mayor seguridad
El mejor RDS(on) de su clase reduce las pérdidas por conducción
El excelente rendimiento con cargas ligeras aumenta la eficiencia
Optimizado para servidores y aplicaciones solares
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IPT65R155CFD7XTMA1 ID 19 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R080CFD7XTMA1 ID 34 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R190CFD7XTMA1 ID 16 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R125CFD7XTMA1 ID 23 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R099CFD7XTMA1 ID 28 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IPT65R060CFD7XTMA1 ID 43 A, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines