MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T065S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-262
- Nº ref. fabric.:
- IPT60T065S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,635 € | 11,27 € |
| 20 - 198 | 5,075 € | 10,15 € |
| 200 - 998 | 4,675 € | 9,35 € |
| 1000 - 1998 | 4,335 € | 8,67 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 349-262
- Nº ref. fabric.:
- IPT60T065S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolMOS S7 de Infineon presenta los valores Rdson más bajos para un MOSFET SJ de alta tensión, con un notable aumento de la eficiencia energética. El sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, al tiempo que mantiene una implementación sencilla y sin problemas. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, diseños de interruptores automáticos y rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores. El nuevo sensor de temperatura mejora las prestaciones del S7, lo que permite aprovechar al máximo el transistor de potencia.
La tecnología CoolMOS S7 permite el RDS(on) más bajo en el espacio más pequeño
Rendimiento de precio optimizado en aplicaciones de conmutación de baja frecuencia
Alta capacidad de corriente de impulso
Diagnóstico perfecto en el sistema más bajo
Función de detección de temperatura para protección y utilización optimizada del dispositivo térmico
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