MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T040S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-261
- Nº ref. fabric.:
- IPT60T040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,53 €
(exc. IVA)
10,32 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2000 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,53 € |
| 10 - 99 | 7,67 € |
| 100 - 499 | 7,09 € |
| 500 - 999 | 6,58 € |
| 1000 + | 5,88 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-261
- Nº ref. fabric.:
- IPT60T040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolMOS S7 de Infineon presenta los valores Rdson más bajos para un MOSFET SJ de alta tensión, con un notable aumento de la eficiencia energética. El sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, al tiempo que mantiene una implementación sencilla y sin problemas. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, diseños de interruptores automáticos y rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores. El nuevo sensor de temperatura mejora las prestaciones del S7, lo que permite aprovechar al máximo el transistor de potencia.
La tecnología CoolMOS S7 permite el RDS(on) más bajo en el espacio más pequeño
Rendimiento de precio optimizado en aplicaciones de conmutación de baja frecuencia
Alta capacidad de corriente de impulso
Diagnóstico perfecto en el sistema más bajo
Función de detección de temperatura para protección y utilización optimizada del dispositivo térmico
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines