MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT017N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 321 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-906
- Nº ref. fabric.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-906
- Nº ref. fabric.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 321A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IPT0 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 165nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| Altura | 1.30mm | |
| Longitud | 10.58mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 321A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IPT0 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 165nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
Altura 1.30mm | ||
Longitud 10.58mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El mejor FET lineal OptiMOS 5 de 2 100 V en TO-Leadless (TOLL) de su categoría de Infineon, ofrece el RDS(on) más bajo del sector y una amplia SOA a 25˚C. La combinación de la tecnología OptiMOS 5 Linear FET 2 y el encapsulado TOLL, está diseñada para proporcionar la máxima densidad de potencia, para aplicaciones de protección de corriente de irrupción como intercambio en caliente, fusible electrónico y protección dentro de la batería en sistemas de gestión de batería (BMS).
Amplia zona de funcionamiento seguro (SOA)
RDS(on) baja
IGSS más bajo comparado con la FET lineal
Característica de transferencia optimizada
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