MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT017N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 321 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

11,06 €

(exc. IVA)

13,38 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 185,53 €11,06 €
20 - 1984,98 €9,96 €
200 +4,595 €9,19 €

*precio indicativo

Código RS:
351-906
Nº ref. fabric.:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

321A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPT0

Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

165nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.30mm

Longitud

10.58mm

Certificaciones y estándares

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

Estándar de automoción

No

El mejor FET lineal OptiMOS 5 de 2 100 V en TO-Leadless (TOLL) de su categoría de Infineon, ofrece el RDS(on) más bajo del sector y una amplia SOA a 25˚C. La combinación de la tecnología OptiMOS 5 Linear FET 2 y el encapsulado TOLL, está diseñada para proporcionar la máxima densidad de potencia, para aplicaciones de protección de corriente de irrupción como intercambio en caliente, fusible electrónico y protección dentro de la batería en sistemas de gestión de batería (BMS).

Amplia zona de funcionamiento seguro (SOA)

RDS(on) baja

IGSS más bajo comparado con la FET lineal

Característica de transferencia optimizada

Enlaces relacionados