MOSFET, N-Canal Infineon IPT017N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 321 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-906
- Nº ref. fabric.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 351-906
- Nº ref. fabric.:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 321A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 165nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| Altura | 1.3mm | |
| Longitud | 10.58mm | |
| Anchura | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 321A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 165nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
Altura 1.3mm | ||
Longitud 10.58mm | ||
Anchura 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IPT0 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 321 A - IPT017N10NM5LF2ATMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta potencia diseñado para aplicaciones de conmutación exigentes donde se requiere alta capacidad de corriente y resistencia térmica. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de montaje en superficie de 8 pines adecuado para módulos de potencia compactos. El dispositivo cumple los estándares sin halógenos y RoHS y está diseñado para sistemas que necesitan un rendimiento de conducción y conmutación robusto sin certificación de automoción.
Características y ventajas:
• La tolerancia de drenaje de 100 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 321 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La baja Rds(on) de 1.7 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 375 W permite un alto rendimiento térmico
• La carga de puerta de 165 nC admite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo
• La corriente de drenaje continua de 321 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La baja Rds(on) de 1.7 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 375 W permite un alto rendimiento térmico
• La carga de puerta de 165 nC admite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores e inversores dc-dc de alta potencia
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con módulos de potencia que requieren MOSFET de montaje en superficie
• Se puede utilizar para distribución de potencia de servidores y telecomunicaciones
• Adecuado para la conversión de energía en sistemas de energía renovable
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza con módulos de potencia que requieren MOSFET de montaje en superficie
• Se puede utilizar para distribución de potencia de servidores y telecomunicaciones
• Adecuado para la conversión de energía en sistemas de energía renovable
¿Qué características del encapsulado afectan al manejo térmico en la placa?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PG-HSOF-8 que permite una disposición de inductancia baja y una transferencia de calor mejorada cuando se soldan a una gran superficie de cobre o planos de disipador térmico dedicados.
¿Cómo influye la tensión nominal de la puerta en el diseño del accionamiento de la puerta?
Con un valor nominal máximo de fuente de puerta de 20 V, los controladores de puerta deben seleccionarse para permanecer dentro de este límite al tiempo que proporcionan un accionamiento suficiente para lograr una baja resistencia de conexión durante la conducción.
¿Qué intervalo de temperatura ambiente puede soportar durante el funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 175 °C, lo que permite su uso en sistemas expuestos a temperaturas ambiente extremas o de unión elevadas.
¿Hay alguna limitación con respecto al uso en automoción?
El dispositivo no está clasificado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe especificarse cuando las homologaciones de grado de automoción son obligatorias.
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