MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 313 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5352
Nº ref. fabric.:
IPT012N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

313A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPT

Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para aplicaciones de alta corriente como montacargas, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Este encapsulado es una solución perfecta para aplicaciones de alta potencia donde se requiere la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y la reducción de espacio. Está calificado de acuerdo con JEDEC1 para aplicaciones de destino.

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Superior resistencia térmica

Prueba de avalancha al 100 %

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