MOSFET Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

Código RS:: 273-5352
Nº ref. fabric.:: IPT012N06NATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

90 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

5,60 €

(exc. IVA)

6,78 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 49	5,60 €
50 - 99	4,66 €
100 - 249	4,30 €
250 - 999	4,00 €
1000 +	3,91 €

Código RS:: 273-5352
Nº ref. fabric.:: IPT012N06NATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPT012N06NATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para aplicaciones de alta corriente como montacargas, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Este encapsulado es una solución perfecta para aplicaciones de alta potencia donde se requiere la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y la reducción de espacio. Está calificado de acuerdo con JEDEC1 para aplicaciones de destino.

Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Superior resistencia térmica
Prueba de avalancha al 100 %

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	PG-HSOF-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Modo de Canal	Mejora
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Especificaciones

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