MOSFET, N-Canal Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5351
Nº ref. fabric.:
IPT012N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

313A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPT

Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para aplicaciones de alta corriente como montacargas, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Este encapsulado es una solución perfecta para aplicaciones de alta potencia donde se requiere la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y la reducción de espacio. Está calificado de acuerdo con JEDEC1 para aplicaciones de destino.

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Superior resistencia térmica

Prueba de avalancha al 100 %

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