MOSFET Infineon IAUTN12S5N018GATMA1, VDSS 120 V, ID 310 A, PG-HSOG-8-1 de 8 pines

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Código RS:
284-709
Nº ref. fabric.:
IAUTN12S5N018GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

310 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

120 V

Serie

OptiMOS

Tipo de Encapsulado

PG-HSOG-8-1

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

El MOSFET de potencia para automoción OptiMOS 5 de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, garantizando un rendimiento y una fiabilidad excepcionales. Con su robusta configuración de modo de mejora del canal N, este MOSFET destaca en condiciones exigentes, ofreciendo cualificaciones ampliadas que superan los estándares del sector. Funciona eficazmente a temperaturas de hasta 175 °C y se somete a pruebas eléctricas mejoradas, lo que lo convierte en un componente vital para los diseños innovadores de automoción. El dispositivo está optimizado para una carga de recuperación inversa mínima, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor pérdida de energía en sus aplicaciones. Esta combinación de alta durabilidad y rendimiento de primer nivel la convierte en una opción esencial para los ingenieros de automoción que buscan soluciones fiables para sus diseños.

Optimizado para una alta fiabilidad en automoción
Excelente rendimiento térmico hasta 175°C
Baja resistencia en estado para una mayor eficiencia energética
Avalancha nominal para protección contra sobrecorriente
Cumple la normativa medioambiental RoHS
Diseño robusto para corrientes de impulso elevadas
100% a prueba de avalanchas para garantizar la calidad

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