MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUMN08S5N013GAUMA1, VDSS 80 V, ID 350 A, Mejora, PG-HSOG-4-1 de 4 pines
- Código RS:
- 349-023
- Nº ref. fabric.:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
11,64 €
(exc. IVA)
14,08 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 28 de enero de 2027
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,82 € | 11,64 € |
| 20 - 198 | 5,24 € | 10,48 € |
| 200 - 998 | 4,83 € | 9,66 € |
| 1000 - 1998 | 4,48 € | 8,96 € |
| 2000 + | 4,025 € | 8,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-023
- Nº ref. fabric.:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-HSOG-4-1 | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 138nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 307W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-HSOG-4-1 | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 138nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 307W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie IAU de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 350 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V - IAUMN08S5N013GAUMA1
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué especificaciones debo tener en cuenta antes de la instalación?
¿Cómo puede este módulo mejorar la gestión de datos en proyectos de automatización?
¿Qué condiciones ambientales puede soportar?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-HSOG-4-1 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-HSOG-4-1 de 4 pines
- MOSFET Infineon IAUTN12S5N018GATMA1 ID 310 A, PG-HSOG-8-1 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 120 V Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOG de 8 pines
