MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 77 A, Mejora, HSOG de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
233-4390
Nº ref. fabric.:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

77A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

IPTG

Encapsulado

HSOG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Anchura

8.75 mm

Longitud

10.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG210N25NM3FD se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 3 - 250 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS.

Alta eficiencia y EMI inferior

Capacidad de alto rendimiento

Enlaces relacionados