MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 454 A, Mejora, HSOG de 8 pines

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Código RS:
233-4381
Nº ref. fabric.:
IPTG007N06NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

454A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPTG

Encapsulado

HSOG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

216nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Anchura

8.75 mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG007N06NM5 se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 5 - 60 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS. El resultado es un ciclo térmico 2x veces superior a bordo

Alta eficiencia y EMI inferior

Capacidad de alto rendimiento

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