MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUS165N08S5N029ATMA1, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOG de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

16,98 €

(exc. IVA)

20,545 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 1675 Envío desde el 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 203,396 €16,98 €
25 - 452,854 €14,27 €
50 - 1202,686 €13,43 €
125 - 2452,482 €12,41 €
250 +2,308 €11,54 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-8992
Nº ref. fabric.:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

165A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOG

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de MOSFET OptiMOS-5 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Enlaces relacionados