MOSFET Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

Código RS:: 229-1803
Nº ref. fabric.:: IAUS300N08S5N012ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

5,66 €

(exc. IVA)

6,85 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	5,66 €	11,32 €
20 - 48	4,865 €	9,73 €
50 - 98	4,59 €	9,18 €
100 - 198	4,245 €	8,49 €
200 +	3,96 €	7,92 €

*precio indicativo

Código RS:: 229-1803
Nº ref. fabric.:: IAUS300N08S5N012ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IAUS300N08S5N012ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de canal N Infineon tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado	PG HSOG-8 (TOLG)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0012 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.8V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

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Especificaciones

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