MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOG de 8 pines

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Código RS:
214-8991
Nº ref. fabric.:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

165A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOG

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de MOSFET OptiMOS-5 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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