MOSFET Infineon IPTG111N20NM3FDATMA1, VDSS 200 V, ID 108 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

Código RS:: 233-4388
Nº ref. fabric.:: IPTG111N20NM3FDATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPTG111N20NM3FDATMA1, VDSS 200 V, ID 108 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1800)

4,199 €

(exc. IVA)

5,081 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1800 +	4,199 €	7.558,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 233-4388
Nº ref. fabric.:: IPTG111N20NM3FDATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPTG111N20NM3FDATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 3 - 200 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS.

Alta eficiencia y EMI inferior
Capacidad de alto rendimiento

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	108 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	PG HSOG-8 (TOLG)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0111 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPTG111N20NM3FDATMA1, VDSS 200 V, ID 108 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines

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