MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG111N20NM3FDATMA1, VDSS 200 V, ID 108 A, Mejora, HSOG de 8 pines

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Código RS:
233-4389
Nº ref. fabric.:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

108A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

IPTG

Encapsulado

HSOG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8.75 mm

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG111N20NM3FD se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 3 - 200 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS.

Alta eficiencia y EMI inferior

Capacidad de alto rendimiento

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