MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG007N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- Código RS:
- 233-4382
- Nº ref. fabric.:
- IPTG007N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
5,19 €
(exc. IVA)
6,28 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 28 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,595 € | 5,19 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-4382
- Nº ref. fabric.:
- IPTG007N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 454A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPTG | |
| Encapsulado | HSOG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 216nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 8.75 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 454A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPTG | ||
Encapsulado HSOG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 216nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 8.75 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS IPTG007N06NM5 se suministra en el encapsulado TO-POMED mejorado con cables de ala de gaviota. Con un tamaño compatible sin cable, TOLG permite un excelente rendimiento eléctrico en comparación con D2PAK 7 contactos con una reducción de espacio de placa de ∼60 %. Este nuevo encapsulado en OptiMOS 5 - 60 V ofrece una RDS(on) muy baja y está optimizado para soportar una corriente alta de 300 A. La flexibilidad de los cables de ala de gaviota OptiMOS en encapsulado TOLG muestra una excelente fiabilidad de unión de soldadura en la placa Al-IMS. El resultado es un ciclo térmico 2x veces superior a bordo
Alta eficiencia y EMI inferior
Capacidad de alto rendimiento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, HSOG de 8 pines