Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG029N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 212 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

Código RS:: 349-137
Nº ref. fabric.:: IPTG029N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG029N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 212 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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Código RS:: 349-137
Nº ref. fabric.:: IPTG029N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	212A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	135V
	Encapsulado	PG-HSOG-8
	Serie	IPT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2.9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	294W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	104nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 212A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V
	Encapsulado PG-HSOG-8
	Serie IPT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 294W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 104nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPTG029N13NM6ATMA1

COO (País de Origen):: MY

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 135 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para ofrecer un rendimiento muy eficaz en aplicaciones de potencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción para mayor eficiencia energética. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. El MOSFET también ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficacia de la conmutación. Además, es 100 % a prueba de avalancha para garantizar su fiabilidad y puede funcionar a 175 °C, por lo que es idóneo para entornos exigentes y altas temperaturas.

Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería

Revestimiento de plomo: sin Pb

Conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG029N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 212 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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