Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF031N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 207 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-405
- Nº ref. fabric.:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,055 € | 12,11 € |
| 20 - 198 | 5,45 € | 10,90 € |
| 200 - 998 | 5,03 € | 10,06 € |
| 1000 - 1998 | 4,665 € | 9,33 € |
| 2000 + | 4,175 € | 8,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-405
- Nº ref. fabric.:
- IPF031N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 207A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 104nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 207A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 104nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que garantiza un funcionamiento eficaz.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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