Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-408
- Nº ref. fabric.:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,805 € | 11,61 € |
| 20 - 198 | 5,22 € | 10,44 € |
| 200 - 998 | 4,82 € | 9,64 € |
| 1000 - 1998 | 4,47 € | 8,94 € |
| 2000 + | 4,005 € | 8,01 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-408
- Nº ref. fabric.:
- IPF129N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 87A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | IPF | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 87A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie IPF | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC for Industrial Applications, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que garantiza un funcionamiento eficaz.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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