Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPF019N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 254 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-402
- Nº ref. fabric.:
- IPF019N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-402
- Nº ref. fabric.:
- IPF019N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 254A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 113nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 254A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 113nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que garantiza un funcionamiento eficaz.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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