MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMBG65R075M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 762-918
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 762-918
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R075M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 124W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 124W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET CoolSiC de Infineon ofrece un rendimiento inigualable, una fiabilidad superior y una gran facilidad de uso. Permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados para satisfacer las necesidades del sistema y del mercado en constante crecimiento.
Pérdidas de conmutación ultrabajas
Mejora la robustez y fiabilidad del sistema
Facilita gran facilidad de uso e integración
Reduce el tamaño, el peso y la lista de materiales de los sistemas
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