MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMBG65R075M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines

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Código RS:
762-918
Nº ref. fabric.:
IMBG65R075M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Disipación de potencia máxima Pd

124W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15mm

Altura

4.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET CoolSiC de Infineon ofrece un rendimiento inigualable, una fiabilidad superior y una gran facilidad de uso. Permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados para satisfacer las necesidades del sistema y del mercado en constante crecimiento.

Pérdidas de conmutación ultrabajas

Mejora la robustez y fiabilidad del sistema

Facilita gran facilidad de uso e integración

Reduce el tamaño, el peso y la lista de materiales de los sistemas

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