MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R009M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 170 A, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
351-987
Nº ref. fabric.:
IMBG65R009M1HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Potencia de salida

555W

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.2mm

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

No

Este CoolSiC de Infineon está fabricado con la tecnología del carburo de silicio sólido. Gracias a las características del material de banda ancha SIC, ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.

Comportamiento de conmutación optimizado con corrientes más altas

Diodo de cuerpo rápido robusto de conmutación con baja carga de recuperación inversa (Qfr )

Fiabilidad superior del óxido de puerta

Mayor capacidad ante avalanchas

Compatible con controladores estándar

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