MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R009M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 170 A, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 351-987
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R009M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- IMBG65R009M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Potencia de salida | 555W | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | IMBG65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Potencia de salida 555W | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie IMBG65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
Este CoolSiC de Infineon está fabricado con la tecnología del carburo de silicio sólido. Gracias a las características del material de banda ancha SIC, ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Apto para altas temperaturas y operaciones exigentes, permite alcanzar de forma simplificada y rentable la mayor eficiencia del sistema.
Comportamiento de conmutación optimizado con corrientes más altas
Diodo de cuerpo rápido robusto de conmutación con baja carga de recuperación inversa (Qfr )
Fiabilidad superior del óxido de puerta
Mayor capacidad ante avalanchas
Compatible con controladores estándar
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