MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBG65R007M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 238 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-322
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-322
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 238A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 789W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 179nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 238A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 789W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 179nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET CoolSiC G2 de 650 V de Infineon se basa en la robusta tecnología Trench de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una facilidad de uso excepcional. Este MOSFET permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, lo que satisface las necesidades cada vez mayores de los sistemas y mercados de potencia modernos. Es ideal para aplicaciones en las que se requiere una eficiencia y un rendimiento robusto, ya que proporciona una solución fiable para una amplia variedad de sistemas electrónicos de potencia.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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