MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R007M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 238 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-322
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-322
- Nº ref. fabric.:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 238A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 789W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 179nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 238A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 789W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 179nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 238 A - IMBG65R007M2HXTMA1
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 8,5 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción para mayor eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 238 A admite cargas de corriente pesada
• La disipación de potencia máxima de 789 W soporta un estrés térmico significativo
• La carga de puerta típica de 179 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• El encapsulado de montaje en superficie PG-TO263-7 facilita el montaje de PCB para la producción en masa
Aplicaciones
• Ideal para accionamientos de motor de alta potencia y convertidores de tracción
• Se utiliza con convertidores de energía renovable y optimizadores de potencia
• Se puede utilizar para etapas de conversión dc-dc de alta tensión
• Se emplea en fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de red
¿Qué rango térmico puede tolerar en instalaciones exigentes?
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para considerar la disposición de la placa de circuito impreso?
¿Es este dispositivo adecuado para requisitos de certificación específicos de automoción?
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