MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1
- Código RS:
- 349-189
- Nº ref. fabric.:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,68 € |
| 10 - 99 | 7,80 € |
| 100 - 499 | 7,20 € |
| 500 - 999 | 6,67 € |
| 1000 + | 5,98 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-189
- Nº ref. fabric.:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | AIK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 326W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie AIK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 326W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este híbrido discreto CoolSiC de Infineon, con IGBT de conmutación rápida TRENCHSTOP 5 y diodo Schottky CoolSiC G5, está diseñado para automoción. Tiene la mejor eficiencia de su categoría en topologías de conmutación dura y resonante.
Tensión disruptiva de 650 V
Diodo Schottky CoolSiCTM G5
Carga de puerta baja QG
Conexión de emisor Kelvin para un rendimiento de conmutación optimizado
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