MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AIKBE50N65RF5ATMA1, VDSS 650 V, PG-TO263-7, Mejora de 7 pines, 1

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Código RS:
349-189
Nº ref. fabric.:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO263-7

Serie

AIK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

326W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este híbrido discreto CoolSiC de Infineon, con IGBT de conmutación rápida TRENCHSTOP 5 y diodo Schottky CoolSiC G5, está diseñado para automoción. Tiene la mejor eficiencia de su categoría en topologías de conmutación dura y resonante.

Tensión disruptiva de 650 V

Diodo Schottky CoolSiCTM G5

Carga de puerta baja QG

Conexión de emisor Kelvin para un rendimiento de conmutación optimizado

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