Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ143N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 54 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:
349-155
Nº ref. fabric.:
ISZ143N13NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

135V

Encapsulado

PG-TSDSON-8FL

Serie

ISZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia OptiMOS 6 de 135 V de Infineon, nivel normal, en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. OptiMOS 6 135 V está pensado para aplicaciones de accionamiento de motores de alta potencia, como LEV, carretillas elevadoras electrónicas, herramientas eléctricas y de jardinería, pero también para aplicaciones de SAI que utilizan predominantemente baterías de 72 a 84 V. Este producto tiende eficazmente un puente entre los MOSFET de 120 y 150 V y proporciona mejoras significativas en RDS(on) y coste, lo que ayuda a mejorar la eficiencia del sistema.

Reducción de costes del sistema

Se precisan menos conexiones en paralelo

Reducción de sobreimpulso de VDS y pérdidas por conmutación

Diseños con mayor densidad de potencia

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