Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ520N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-157
- Nº ref. fabric.:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,648 € | 8,24 € |
| 50 - 95 | 1,568 € | 7,84 € |
| 100 - 495 | 1,45 € | 7,25 € |
| 500 - 995 | 1,334 € | 6,67 € |
| 1000 + | 1,286 € | 6,43 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-157
- Nº ref. fabric.:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | ISZ | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie ISZ | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET OptiMOS 6 de Infineon establece un nuevo estándar tecnológico. Responde a las necesidades de alta densidad de potencia, gran eficacia y alta fiabilidad. La tecnología OptiMOS 6 200 V se diseñó para un rendimiento óptimo en aplicaciones de accionamiento de motores, como LEV, carretillas elevadoras y drones. El nuevo OptiMOS 6 presenta una RDS(on) líder en el sector, así como una capacidad mejorada de conmutación y distribución de corriente, lo que permite alta densidad de potencia, menos conexiones en paralelo y un excelente rendimiento EMI.
Bajas pérdidas por conducción
Bajas pérdidas por conmutación
Funcionamiento estable con EMI mejorada
Se precisan menos conexiones en paralelo
Mejor distribución de corriente en conexión en paralelo
Respetuoso con el medio ambiente
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