Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ520N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:
349-157
Nº ref. fabric.:
ISZ520N20NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

ISZ

Encapsulado

PG-TSDSON-8FL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET OptiMOS 6 de Infineon establece un nuevo estándar tecnológico. Responde a las necesidades de alta densidad de potencia, gran eficacia y alta fiabilidad. La tecnología OptiMOS 6 200 V se diseñó para un rendimiento óptimo en aplicaciones de accionamiento de motores, como LEV, carretillas elevadoras y drones. El nuevo OptiMOS 6 presenta una RDS(on) líder en el sector, así como una capacidad mejorada de conmutación y distribución de corriente, lo que permite alta densidad de potencia, menos conexiones en paralelo y un excelente rendimiento EMI.

Bajas pérdidas por conducción

Bajas pérdidas por conmutación

Funcionamiento estable con EMI mejorada

Se precisan menos conexiones en paralelo

Mejor distribución de corriente en conexión en paralelo

Respetuoso con el medio ambiente

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