MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 273-5359
- Nº ref. fabric.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,04 €
(exc. IVA)
7,31 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 90 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,208 € | 6,04 € |
| 50 - 495 | 1,006 € | 5,03 € |
| 500 - 995 | 0,864 € | 4,32 € |
| 1000 - 2495 | 0,846 € | 4,23 € |
| 2500 + | 0,83 € | 4,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-5359
- Nº ref. fabric.:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | ISZ | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie ISZ | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
El MOSFET de potencia de Infineon es un convertidor de bajada de alto rendimiento optimizado. Este MOSFET de potencia tiene una excelente carga de puerta. Tiene una resistencia de encendido muy baja y está calificado de acuerdo con el estándar JEDEC.
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Superior resistencia térmica
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOSTM VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8
- MOSFET de potencia OptiMOSTM VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines