MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ019N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:
273-5358
Nº ref. fabric.:
ISZ019N03L5SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

ISZ

Encapsulado

PG-TSDSON-8FL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS

El MOSFET de potencia de Infineon es un convertidor de bajada de alto rendimiento optimizado. Este MOSFET de potencia tiene una excelente carga de puerta. Tiene una resistencia de encendido muy baja y está calificado de acuerdo con el estándar JEDEC.

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Superior resistencia térmica

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