MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISZ810P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID -19.5 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:
284-805
Nº ref. fabric.:
ISZ810P06LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-19.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TSDSON-8FL

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

81mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia avanzado que proporciona un rendimiento y fiabilidad excepcionales, lo que lo convierte en una elección ideal para aplicaciones industriales exigentes. La serie de transistores de potencia OptiMOS de Infineon destaca en eficiencia energética con sus características de baja resistencia de encendido, lo que garantiza una pérdida de energía mínima durante el funcionamiento. Su diseño robusto está completamente calificado de acuerdo con los estándares JEDEC, lo que proporciona tranquilidad para los ingenieros que buscan componentes duraderos. Al funcionar a 60 V, está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento al tiempo que mantiene una baja resistencia térmica, lo que permite una gestión eficaz del calor.

La configuración del canal P optimiza el control de corriente

Compatibilidad de nivel lógico para facilitar la interfaz

Probado en avalancha para fiabilidad bajo tensión

El chapado de plomo sin plomo cumple las normativas ambientales

La construcción sin halógenos admite una producción más limpia

Características térmicas mejoradas para un funcionamiento uniforme

Corriente de drenaje continua alta para diversas aplicaciones

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