MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0902NSATMA1, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:
273-5247
Nº ref. fabric.:
BSZ0902NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

106A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TSDSON-8FL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET tiene una excelente carga de puerta. Está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino y está 100 por ciento probado contra avalanchas. Se trata de un convertidor buck optimizado para altas prestaciones.

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Resistencia de encendido muy baja

Superior resistencia térmica

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