MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTC020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOF-16 de 16 pines
- Código RS:
- 349-133
- Nº ref. fabric.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-133
- Nº ref. fabric.:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 297A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-16 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 159nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 297A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Encapsulado PG-HSOF-16 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Ofrece una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficacia. El MOSFET brinda un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM) para asegurar un rendimiento de conmutación superior. También tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que optimiza la eficacia durante las conmutaciones. Con un alto índice de energía de avalancha, garantiza fiabilidad en condiciones exigentes y funciona eficazmente a 175 °C, por lo que es ideal para entornos a altas temperaturas.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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