MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC104N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
285-049
Nº ref. fabric.:
ISC104N12LM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de primer nivel diseñado para aplicaciones de alta eficiencia. Con sus características de nivel lógico de canal N avanzado, se destaca en proporcionar una resistencia de encendido muy baja, lo que garantiza un ahorro de energía óptimo durante el funcionamiento. El innovador encapsulado SuperSO8 mejora la gestión térmica, lo que lo convierte en ideal para tareas de conmutación de alta frecuencia. Este estado del componente ART cuenta con un excelente rendimiento de carga de puerta, lo que reduce significativamente las pérdidas que se suelen encontrar en dispositivos menos sofisticados. Además, su conformidad con las normativas RoHS y sin halógenos garantiza un compromiso con la tecnología respetuosa con el medio ambiente.

Tecnología de canal N para un rendimiento superior

La baja resistencia de encendido reduce la pérdida de potencia

Diseñado para conmutación de alta frecuencia

Cumple las normas de fiabilidad del sector

RoHS y sin halógenos para mayor compatibilidad con el medio ambiente

Maneja alta energía de avalancha para mayor robustez

Optimizado para rectificación síncrona

Características térmicas mejoradas para una mejor disipación de calor

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